Vishay威世科技： Vishay推出的四款小外形尺寸、高性能MLCC器件包括#VJ5301M868MXBSR#、#VJ5601M868MXBSR#和#VJ5301M915MXBSR#和#VJ5601M915MXBSR#，可分别接收和发送868MHz和915MHz的数字信号，扩充了其陶瓷片式天线产品线。 http://t.eccn.com/index.php?mod=url&code=y3

Vishay威世科技： Vishay #P16S#在+40℃下的额定功率为1W，典型TCR为±150 ppm/℃，绝缘强度高达2.5 kVrms。器件的套管长7mm(15mm在设备内部)，旋钮直径为16mm，温度范围-40℃～+125℃。器件符合RoHS，无铅。更多信息请参考：【 http://t.eccn.com/index.php?mod=url&code=yZ】

Vishay威世科技： Vishay #P16S#电位计采用小尺寸、全密封和密封面板的结构，堪称面板安装电位计领域的革命性革新。其设计上的独到之处在于采用了旋钮操纵方式，包括一个金属陶瓷和导电塑料的电位计。在面板的背面仅有五金安装件和接头，使得安装间隙尽可能小，成为小尺寸、低外形、重量轻设备理想之选。

Vishay威世科技： Vishay刚刚发布的新型面板式电位计#P16S#是业内首款包含可变电阻和内置旋钮开关的产品，适用于军工、专业音响，以及工业领域内音量、速度、亮度和电压控制等紧凑型设计，例如便携式设备、通信手持机、夜视镜和驾驶室仪表板。 http://t.eccn.com/index.php?mod=url&code=yZ

Vishay威世科技： 新的D系列MOSFET采用简单的栅极驱动电路、非常耐用的本体二极管，易于在更紧凑、更轻、发热更少的终端产品设计中使用。器件符合RoHS指令，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，雪崩(UIS)定级让器件能够稳定可靠地工作。

Vishay威世科技： D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的栅极电荷分别为9nC、6nC和45nC，具有最佳的栅极电荷与导通电阻乘积，该值是用在功率转换应用中MOSFET的关键优值系数(FOM)，400V、500V和600V器件的FOM分别为7.65 Ω-nC、15.6 Ω-nC和12.3 Ω-nC。

Vishay威世科技： Vishay D系列MOSFET的条带设计加上更小的裸片尺寸和端接，使栅极电荷比前一代方案低50%，同时提高了开关速度，降低了导通电阻和输入电容。400V、500V和600V D系列MOSFET的导通电阻分别为0.17Ohm、0.13Ohm和0.34Ohm。

Vishay威世科技： Vishay推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。D系列MOSFET基于新的高压条带技术，使效率和功率密度达到新的水平。

Vishay威世科技： Vishay Asia荣获了TTI Electronics Asia颁发的亚洲区奖项：TTI 2011钻石奖、TTI 2011优秀供应商奖和TTI 2011最佳质量奖。此外，Vishay赢得北美和欧洲地区的TTI 2011优秀供应商奖，以及TTI 2011全球运营优秀奖。Vishay Asia的行政总裁Christopher Tan（图左）代表Vishay领取了Vishay Asia 2011供应商奖

Vishay威世科技： #D/CRCW e3#厚膜片式电阻非常适合汽车、工业设备、通信基础设施、消费品和计算机等领域的应用。器件符合RoHS指令2011/65/EU，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。Vishay的4款设计套件有助于这类电阻设计。更多信息请参考：【 http://t.eccn.com/index.php?mod=url&code=y7】