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  • #IR#IR推出PQFN2mm×2mm和PQFN 3．3mm×3．3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET(R) MOSFET，为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案，这些应用包括智能手机、平板电脑、网通设备等 http://t.eccn.com/index.php?mod=url&code=qT

  • 07月21日 09时44分 来自网站 举报 | 收藏 转发到新浪微博
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