• Vishay推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET(R)功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK(R) SC-70封装,具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。 http://t.eccn.com/index.php?mod=url&code=i

  • 03月02日 09时52分 来自网站 举报 | 收藏 转发到新浪微博
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