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  • #Vishay##无源元件#Vishay推出0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET，8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET(R)功率MOSFET所用的MICRO FOOT(R)封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当 http://t.eccn.com/index.php?mod=url&code=Ux

  • 10月21日 17时48分 来自网站 举报 | 收藏 转发到新浪微博
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