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Vishay威世科技:Vishay新款8V N沟道TrenchFET(R)功率MOSFET #SiA436DJ#采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK(R) SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。超小尺寸封装可在智能手机、平板电脑,以及移动计算应用等便携式电子产品中用于负载切换,节省PCB空间。 http://t.eccn.com/index.php?mod=url&code=Fj
07月31日 10时34分
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