富士通半导体的微博 http://t.eccn.com/fujitsusemicont
  • GaN材料是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。富士通半导体正是利用其具有低的热产生率和高的击穿电场等特性来为满足服务器电源单元的市场需求。

  • 11月26日 09时55分 来自网站 举报 | 收藏 转发到新浪微博
  • 表情
    • 还可以输入
    • 140
    • 个字符
  • 同时转发给关注我的人
    • 富士通半导体
    富士通半导体
    积分：621
    北京 北京市

    8

    关注

    41

    被关注

    153

    微博

    未绑定新浪微博  
    中电微博意见反馈
    • 众人拾柴火焰高，如您有任何建议欢迎点意见反馈告诉我们。
    •  

    找感兴趣的人

    大家在说什么

    微博更多玩法

    关于我们

    Table '.\eccn_mblog\mblog_sessions' is marked as crashed and should be repaired DELETE FROM mblog_sessions WHERE sid='ss0ucI' OR lastactivity<(1715073624-900) OR ('0'<>'0' AND uid='0') OR (uid='0' AND ip1='3' AND ip2='145' AND ip3='191' AND ip4='22' AND lastactivity>1715073624-60)